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一、系统描述

TFT300A大功率LED热阻测试系统塬理符合 MIL-STD-750JEDEC JESD51-1热阻测试标准 定义的动态及静态测试方法)运用实时采样静态测试方法(Static Method),广泛用于测试各类 IC(包括二极管、三极管、MOSFETIGBTSOCSIPMEMS 等)、大功率LED、导热材料、散热器、热管等的热阻、热容及导热系数、积分及微分热结构函数曲线、接触热阻等热特性。

二、测试功能介绍

1、IC:可以得到用不同占空比方波测试时的阻抗与热阻值;

2、二极管:稳态热阻(Thermal Resistance)

3、三极管:包括:Rja,Rjb,Rjc,Rjl,   当器件在给一定的工作电流后。热量不断向外扩散,达到了热平衡,得到的结果是稳态热阻值。在没有达到热平衡之前测试到的是热阻抗;

4、MOSFET:从开始加热到结温达到稳定这一过程中的瞬态阻抗数据;

5、IGBT:瞬态阻抗(Thermal Impedance)

6、线形调压器:装片质量的分析;

7、大功率LED:热阻、参考热阻、结温、光功率、光谱、颜色、正向电压、正向电流 升温曲线、降温曲线、K系数、I-V特性曲线、结压-时间、结温-时间曲线、瞬态热阻曲线、积分及微分热结构函数曲线、精确解析LED的分层热阻结构。

 

三、系统配置介绍

1、采样单元

l  功率:2A/10V

l  测试延迟时间(启动时间):1us

l  采样率:1us

l  测试通道数:2(最大 8个);

l  热电偶测量精度(T型):典型±0.1℃,大±0.3℃

l  结温测量精度:典型±0.1℃

2、电学单元

l  加热电压测量精度:±0.1%

l  加热电流测量精度:±0.2%

l  结温测量精度:典型±0.1℃

l  器件的大供电电压:50V

l  器件的大供电电流:2V

3、光学单元

l  光谱波长范围:380nm780nm

l  光功率范围:0.05mW-1000.0mW

l  热阻可测量范围:0/W250/W

l  温度控制装置范围:5℃90℃,稳定度±0.2℃

 

四、测试塬理

根据IEDEC静态测量塬理,改变器件输入功率,使器件温度发生变化,在达到热平衡之前,TFT300A1uS的高速采样率实时记录温度随着时间变化的瞬态响应曲线;在得到温度响应后,根据R_thiA=T / P 计算稳态热阻;将上述瞬态响应转换为结构函数形式,方便用户分析器件热流传导路径上的各层结构。系统未采用“脉冲方法”。因为“脉冲方法”采用延时测量技术,限制了测量精度,且“脉冲方法”在测量瞬态温度响应市应非实时记录数据。而是通过人为构建脉冲加热功率来模拟瞬态过程,测试结果的精确性无法保证。

 

五、参考测试标准

EIA/JESD 51-1~14 Integrated Circuits Thermal Measurement Method

MIL-STD-750D Test Method for semiconductor Device

SJ 20788-2000 半导体二极管热阻测试方法

GB/T 4023-1997 半导体器件分立器件和集成电流第二部分:整流二极管

QB/T 4057-2010 普通照明用发光二极管性能要求  
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